- 霍尔效应及其应用
- 共370题
AφM＞φN
BφM＜φN
CMN两金属板的电势差
DMN两金属板的电势差
正确答案
解析
解：A、根据左手定则，知电子向上极板偏转，则上表面带负电，下表面失去电子带正电．则φM＜φN．故A错误，B正确．
C、设金属块的长宽高分别为a、d、b，根据qvB=
故选BD．
A
B
CB板带正电
DA板带正电
正确答案
解析
解：由左手定则知，正离子向B板运动，即B板带正电．发电机稳定时，离子所受电场力等于洛伦兹力
故选BC．
霍尔效应是电磁基本现象之一，近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展．如图1所示，在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现电压UH，这个现象称为霍尔效应，UH称为霍尔电压，且满足
①若该半导体材料是空穴（可视为带正电粒子）导电，电流与磁场方向如图1所示，该同学用电压表测量UH时，应将电压表的“+”接线柱与______（填“M”或“N”）端通过导线相连．
②已知薄片厚度d=0.40mm，该同学保持磁感应强度B=0.10T不变，改变电流I的大小，测量相应的UH值，记录数据如下表所示．
根据表中数据在图3中画出UH-I图线，利用图线求出该材料的霍尔系数为______×10-3V•m•A-1•T-1（保留2位有效数字）．
③该同学查阅资料发现，使半导体薄片中的电流反向再次测量，取两个方向测量的平均值，可以减小霍尔系数的测量误差，为此该同学设计了如图2所示的测量电路，S1、S2均为单刀双掷开关，虚线框内为半导体薄片（未画出）．为使电流从Q端流入，P端流出，应将S1掷向______（填“a”或“b”），S2掷向______（填“c”或“d”）．
为了保证测量安全，该同学改进了测量电路，将一合适的定值电阻串联在电路中．在保持其它连接不变的情况下，该定值电阻应串联在相邻器件______和______（填器件代号）之间．
正确答案
解：①根据左手定则得，正电荷向M端偏转，所以应将电压表的“+”接线柱与M端通过导线相连．
②UH-I图线如图所示．根据
③为使电流从Q端流入，P端流出，应将S1掷向b，S2掷向c，为了保护电路，定值电阻应串联在S1，E（或S2，E）之间．
故答案为：①M ②如图所示，1.5（1.4或1.6）③b，c；S1，E（或S2，E）
解析
解：①根据左手定则得，正电荷向M端偏转，所以应将电压表的“+”接线柱与M端通过导线相连．
②UH-I图线如图所示．根据
③为使电流从Q端流入，P端流出，应将S1掷向b，S2掷向c，为了保护电路，定值电阻应串联在S1，E（或S2，E）之间．
故答案为：①M ②如图所示，1.5（1.4或1.6）③b，c；S1，E（或S2，E）
A金属块的上表面电势高
B金属块的上表面电势低
C
D
正确答案
解析
解：A、B、由图，磁场方向向里，电子向左移动，根据左手定则，电子向上表面偏转，上表面得到电子带负电，所以下表面带正电．故A错误，B正确．
C、D、再根据e
故选：BC．
A
B
C
D
正确答案
解析
解：因为上表面的电势比下表面的低，根据左手定则，知道移动的电荷为负电荷．因为qvB=q
故选C．
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