热门试卷

下表是元素周期表的一部分，表中所列字母分别代表一种化学元素。

试回答下列问题：

(1)I A族元素与f形成的晶体中晶格能最大的是_______ （填化学式）。

(2)k在空气中燃烧的产物在固态时的晶体类型为 _____，中心原子的杂化类型为________ 杂化，其分子是 _______（填 “极性”或“非极性”）分子。

(3)第三周期中的8种元素的单质熔点高低的顺序如图所示，其中序号“8”代表 ________（填元素符号），电负性最大的是_______ （填图中的序号）。

(4)j原子与c原子以1:1的比例相互交替结合而形成晶体，其晶体类型与晶体j相同， 则两者相比熔点更高的是 ________（填化学式），试从结构的角度加以解释：___________。

【三选一----选修物质结构与性质】

下表为长式周期表的一部分，其中的编号代表对应的元素。  

请回答下列问题：

（1）表中属于d区的元素是_____________（填编号）。

（2）科学发现，②、④、⑨三种元素的原子形成的晶体具有超导性，其晶胞的结构特点如图所示（图中②、④、⑨分别位于晶胞的体心、顶点、面心），则该化合物的化学式为______________（用对应的元素符号表示）。

（3）元素②的一种氢化物是重要的化工原料，常把该氢化物的产量作为衡量石油化工发展水平的标志。有关该氢化物分子的说法正确的是____________ 。

A．分子中含有分子间的氢键                 

B．属于含有极性键的非极性分子

C．只含有4个sp-s的σ键和1个p-p的π键 

D．该氢化物分子中②原子采用sp2杂化

（4）某元素的价电子排布式为nsnnpn+1，该元素原子的核外最外层电子的孤对电子数为___________；该元素与元素①形成的18电子的X分子（分子量32）的电子式为___________；该元素还可与元素①形成10电子的气体分子Y（分子量17），将过量的Y气体通入盛有硫酸铜水溶液的试管里，现象为________________。

（5）下表为原子序数依次增大的短周期元素A～F的第一到第五电离能数据。 请回答：表中的金属元素是_____________（填字母）；若A、B、C为原子序数依次增大的同周期相邻元素，表中显示B比A和C的第一电离能都略大，其原因是____________________。    

2010年上海世博会场馆，大量的照明材料或屏幕都使用了发光二极管 (LED)。目前市售LED晶片材质基本以GaAs（砷化镓）、AlGalnP(磷化铝镓铟)、InGaN（氮化铟镓）为主。砷化镓的晶胞结构如图。试回答

(1)镓的基态原子的电子排布式是____________。

(2)砷化镓晶胞中所包含的砷原子（白色球）个数为__________，与同一个镓原子相连的砷原子构成的空间构型为__________

(3)下列说法正确的是__________（填字母）。

A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同

B．第一电离能：As> Ga

C．电负性：As> Ga

D．砷化镓晶体中含有配位键

E．GaP与GaAs互为等电子体

(4)N、P、As处于同一主族，其氢化物沸点由高到低的顺序是_________________

(5)砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃时制得。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为____________。

砷化镓(GaAs)属于第三代半导体，用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%。推广砷化镓等发光二极管(LED)照明，是节能减排的有效举措。砷化镓的晶胞结构如下图。

试回答：

(1)As的核外电子排布式为_____________。

(2)砷化镓晶胞中所包含的Ga原子个数为_____________。

(3)下列说法正确的是__________（填字母）。

A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同

B．第一电离能：As> Ca

C．电负性：As> Ga

D．砷化镓晶体中含有配位键

E．半导体GaP与CaAs互为等电子体

(4)砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法在700℃ 时制备得到。AsH3的空间形状为____，(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为_____________。

(5) AsH3沸点比NH3低，其主要原因是__________________