- 核外电子数
- 共754题
第四周期元素原子中未成对电子数最多可达（ ）
正确答案
解析
解：第四周期元素中，外围电子排布为ndxnsy，且能级处于半满稳定状态时，含有的未成对电子数最多，即外围电子排布为3d54s1，故含有的未成对电子数最多为6，故选C．
下列各分子中所有原子都满足最外层8电子稳定结构且共用电子对发生偏移的是（ ）
正确答案
解析
解：A、BeCl2中Be元素化合价为+2，Be原子最外层电子数为2，所以2+2=4，Be原子不满足8电子结构；Cl元素化合价为-1，Cl原子最外层电子数为7，所以1+7=8，Cl原子满足8电子结构，成键原子不同共用电子对会发生偏移，故A错误．
B、PCl3中P元素化合价为+3，P原子最外层电子数为5，所以3+5=8，P原子满足8电子结构；Cl元素化合价为-1，Cl原子最外层电子数为7，所以1+7=8，Cl原子满足8电子结构，成键原子不同共用电子对会发生偏移，故B正确；
C、PCl5中P元素化合价为+5，P原子最外层电子数为5，所以5+5=10，分子中P原子不满足8电子结构；成键原子不同共用电子对会发生偏移，故C错误；
D、N2中N原子最外层5个电子，氮气结构式为N≡N，N原子形成3个共价键，每个共价键提供一个电子，所以每个N原子周围电子数为：5+3=8；但是N2成键原子相同，共用电子对不发生偏移，故D错误；
故选B．
（1）请写出图中d单质对应元素原子的电子排布式______
（2）单质a、b、f对应的元素以原子个数比1：1：1形成的分子中含______ 个σ键，______个π键．
（3）a与b的元素形成的10电子中性分子X的空间构型为______；将X溶于水后的溶液滴入到含d元素高价离子的溶液中至过量，生成的含d元素离子的化学式为______，其中X与d的高价离子之间以______ 键组合．
正确答案
1s22s22p63s23p63d104s1
2
2
三角锥型
[Cu（NH3）4]2+
配位
解析
解：Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质中，Na、Cu为金属晶体，均是热和电的良导体，C、Si的单质为原子晶体，且C单质的熔沸点大于Si原子晶体的熔沸点，H、N对应的单质为分子晶体，其中氢气的熔点最低，由图熔点的高低顺序可知a为H，b为N，c为Na，d为Cu，e为Si，f为C，
（1）d为Cu，对应元素原子的电子排布式：1s22s22p63s23p63d104s1，故答案为：1s22s22p63s23p63d104s1；
（2）单质a、b、f对应的元素以原子个数比1：1：1形成的分子为HCN，结构式为H-C≡N，C-Hσ键和1个C-N1个σ键和2个π键，所以分子中含2个σ键，2个π键，
故答案为：2；2；
（3）a与b的元素形成的10电子中性分子X为NH3，氨气分子中价层电子对个数=σ键个数+孤电子对个数=3+
故答案为：三角锥型；[Cu（NH3）4]2+；配位．
（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为______．
（2）下列说法正确的是______（选填序号）．
A．砷和镓都属于p区元素 B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C．电负性：As＞Ga D．第一电离能Ga＞As
（3）GaAs是由（CH3）3Ga和AsH3在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是______（填“极性分子”或“非极性分子”）．（CH3）3Ga中镓原子的杂化方式为______．
（4）如图立方体中心的“●”表示硅晶体中的一个原子，请在立方体的顶点用“●”表示出与之紧邻的硅原子．
正确答案
解：（1）镓位于周期表中第四周期第IIIA，故其核外电子排布式为1s22s22p63d104s24p1或[Ar]3d104s24p1，
价电子的轨道排布式为：
（2）A．因砷和镓的电子排布中最后填充的是p电子，则都属于p区元素，故A正确；
B．GaN、GaP、GaAs晶体结构与单晶硅相似，属于原子晶体，故B错误；
C．Ga的金属性强，则第一电离能小，电负性小，故C正确；
D．Ga的金属性强，则第一电离能小，电负性小，故D错误；
故选AC．
（3）反应为（CH3）3Ga和AsH3，生成为GaAs，根据质量守恒可知还应有和CH4，甲烷是非极性分子；（CH3）3Ga中Ga形成3个δ键，没有孤电子对，为sp2杂化，
故答案为：非极性分子；sp2；
（4）晶体硅中每个硅原子和四个硅原子形成四个共价键，如果一个硅原子在正方体体心上，4个硅原子在相对的4个顶点上，所以为：
解析
解：（1）镓位于周期表中第四周期第IIIA，故其核外电子排布式为1s22s22p63d104s24p1或[Ar]3d104s24p1，
价电子的轨道排布式为：
（2）A．因砷和镓的电子排布中最后填充的是p电子，则都属于p区元素，故A正确；
B．GaN、GaP、GaAs晶体结构与单晶硅相似，属于原子晶体，故B错误；
C．Ga的金属性强，则第一电离能小，电负性小，故C正确；
D．Ga的金属性强，则第一电离能小，电负性小，故D错误；
故选AC．
（3）反应为（CH3）3Ga和AsH3，生成为GaAs，根据质量守恒可知还应有和CH4，甲烷是非极性分子；（CH3）3Ga中Ga形成3个δ键，没有孤电子对，为sp2杂化，
故答案为：非极性分子；sp2；
（4）晶体硅中每个硅原子和四个硅原子形成四个共价键，如果一个硅原子在正方体体心上，4个硅原子在相对的4个顶点上，所以为：
和氖原子有相同的电子层结构的微粒是（ ）
AHe
BK+
CCl-
D
正确答案
解析
解：氖原子核外有10个电子，有2个电子层，最外层电子数为8．
A、He只有1个电子层，上面有2个电子，故A错误；
B、K+核外有18个电子，有3个电子层，最外层电子数为8，故B错误；
C、Cl-核外有18个电子，有3个电子层，最外层电子数为8，故C错误；
D、
故选D．
扫码查看完整答案与解析