- 核外电子数
- 共754题
下列关于氢原子电子云图的说法正确的是( )
正确答案
解析
解:A.黑点的疏密表示电子出现的几率大小,不表示电子数目的多少,黑点密度大,电子出现的频率高,故A错误;
B.黑点的疏密表示电子出现的几率大小,疏的表示出现的几率小,密的表示出现的几率大,故B正确;
C.小黑点表示电子在核外空间某处出现的机会,不代表电子的运动轨迹,故C错误;
D.电子云图反映电子在核外无规则运动时在某点出现的概率,是对运动的描述,故D错误;
故选B.
下列基态原子的价电子排布中,正确的是 ( )
正确答案
解析
解:A.该原子不稳定,原子轨道中电子处于全满、全空、半满时最稳定,所以该基态原子的价电子排布为3d104s1,故A错误;
B.当原子轨道中电子处于全满、半满或全空时最稳定,所以该基态原子的价电子排布为3d54s1,故B错误;
C.根据能量最低原理知,应该先排4s电子后排3d电子,所以该基态原子的价电子排布为3d84s2,故C错误;
D.根据能量最低原理知,应该先排5s电子后排4d电子,所以该基态原子的价电子排布为4d85s2,故D正确;
故选D.
下列说法中正确的是( )
正确答案
解析
解:A.电子云图象中每一个小黑点表示电子出现在核外空间中的一次概率,不表示一个电子,故A错误;
B.镁原子的电子从基态跃迁到激发态,要吸收能量,故B错误;
C.4s轨道电子能量一定比2p轨道电子能量高,故C错误;
D.氧原子核外有8个电子,8个电子的运动状态都不相同,故D正确;
故选D.
下列能层中,有f能级的是( )
正确答案
解析
解:A、K能层是第一能层,只有1个能级,1s能级,故A不符合;
B、L能层是第二能层,含有2个能级,分别是2s、2p能级,故B不符合;
C、M能层是第三能层,含有3个能级,分别是3s、3p、3d能级,故C不符合;
D、N能层是第四能层,含有4个能级,分别是3s、3p、3d、4f能级,故D符合;
故选D.
【选修3--物质结构与性质】
砷化镓(GaAs)属于第三代半导体,用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能只有其10%.推广砷化镓等发光二极管(LED)照明,是节能减排的有效举措.请回答下列问题:
(1)写出As基态原子的价电子排布式:______.
(2)As的第一电离能比Ga的______(填“大”或“小”,下同),As的电负性比Ga的______.
(3)比较As的简单氢化物与同族第二、三周期元素所形成的简单氢化物的沸点,并说明理由:______.
(4)GaAs的晶体结构与单晶硅相似,在GaAs晶体中,每个Ga原子与______个As原子相连,与同一个Ga原子相连的As原子构成的空间构型为______.在四大晶体类型中,GaAs属于______晶体.
(5)砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃下反应制得,此反应的化学方程式为______;已知(CH3)3Ga为非极性分子,则其中镓原子的杂化轨道类型为______.
正确答案
解:(1)As是35号元素,属于主族元素,其最外层电子就是其价电子,所以As基态原子的价电子排布式:4s24p3,故答案为:4s24p3;
(2)同一周期元素中,元素的电负性随着原子序数的增大而增大,第一电离能随着原子序数的增大而呈增大趋势,但第VA族元素第一电离能大于相邻元素,Ga属于第IVA族、As属于第VA族,所以As的第一电离能比Ga的大,As的电负性比Ga的大,
故答案为:大;大;
(3)氨气分子间形成氢键,氢键的存在导致氨气的沸点最高,砷化氢的相对分子质量大于磷化氢,分子间作用力大,所以砷化氢的沸点比磷化氢的高,则这几种氢化物的沸点高低顺序是:NH3>AsH3>PH3,
故答案为:NH3>AsH3>PH3;氨气分子间形成氢键,沸点最高,砷化氢的相对分子质量比磷化氢大,分子间作用力大,所以砷化氢的沸点比磷化氢高;
(4)GaAs的晶体结构与单晶硅相似,根据硅晶体结构知,在GaAs晶体中,每个Ga原子与4个As原子相连,与同一个Ga原子相连的As原子构成的空间构型为正四面体,GaAs的晶体结构和硅晶体相似,则晶体类型相似,所以GaAs属于原子晶体,故答案为:4;正四面体;原子;
(5)根据元素守恒知,另外一种生成物是CH4,根据反应物、生成物及反应条件知,其反应方程式为:(CH3)3Ga+AsH3GaAs+3CH4,
(CH3)3Ga为非极性分子,(CH3)3Ga中Ga形成3个δ键,没有孤电子对,为sp2杂化,
故答案为:(CH3)3Ga+AsH3GaAs+3CH4;sp2.
解析
解:(1)As是35号元素,属于主族元素,其最外层电子就是其价电子,所以As基态原子的价电子排布式:4s24p3,故答案为:4s24p3;
(2)同一周期元素中,元素的电负性随着原子序数的增大而增大,第一电离能随着原子序数的增大而呈增大趋势,但第VA族元素第一电离能大于相邻元素,Ga属于第IVA族、As属于第VA族,所以As的第一电离能比Ga的大,As的电负性比Ga的大,
故答案为:大;大;
(3)氨气分子间形成氢键,氢键的存在导致氨气的沸点最高,砷化氢的相对分子质量大于磷化氢,分子间作用力大,所以砷化氢的沸点比磷化氢的高,则这几种氢化物的沸点高低顺序是:NH3>AsH3>PH3,
故答案为:NH3>AsH3>PH3;氨气分子间形成氢键,沸点最高,砷化氢的相对分子质量比磷化氢大,分子间作用力大,所以砷化氢的沸点比磷化氢高;
(4)GaAs的晶体结构与单晶硅相似,根据硅晶体结构知,在GaAs晶体中,每个Ga原子与4个As原子相连,与同一个Ga原子相连的As原子构成的空间构型为正四面体,GaAs的晶体结构和硅晶体相似,则晶体类型相似,所以GaAs属于原子晶体,故答案为:4;正四面体;原子;
(5)根据元素守恒知,另外一种生成物是CH4,根据反应物、生成物及反应条件知,其反应方程式为:(CH3)3Ga+AsH3GaAs+3CH4,
(CH3)3Ga为非极性分子,(CH3)3Ga中Ga形成3个δ键,没有孤电子对,为sp2杂化,
故答案为:(CH3)3Ga+AsH3GaAs+3CH4;sp2.
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