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题型:简答题
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简答题

如图所示,相距为L的两条足够长的光滑平行金属导轨与水平面的夹角为θ,上端连接定值电阻R,导轨上水平虚线MNPQ区域内,存在着垂直于轨道平面向下的匀强磁场,磁感应强度为B.将质量为m、电阻为r的导体棒在距磁场上边界d处由静止释放,导体棒进入磁场运动距离s到达CD位置,速度增加到v1,此时对导体棒施加一平行于导轨的拉力,使导体棒以速度v1匀速运动时间t后离开磁场.导体棒始终与导轨垂直且电接触良好,不计导轨的电阻,重力加速度为g.求:

(1)导体棒刚进入磁场时产生的感应电动势E;

(2)导体棒到达CD位置时,电阻R上的电功率P;

(3)整个过程中回路产生的焦耳热Q.

正确答案

解:(1)设导体棒刚进入磁场时的速度为v,由动能定理有

导体棒切割磁感线产生的感应电动势 E=BLv

解得 

(2)导体棒到达CD位置时的感应电动势E′=BLv1

此时R上的电功率

解得   

(3)导体棒从MN运动到CD,由能量守恒定律有

以v1的速度匀速运动时间t,产生的热量 

整个过程中回路产生的热量  Q=Q1+Q2

解得  

答:(1)导体棒刚进入磁场时产生的感应电动势

(2)导体棒到达CD位置时,电阻R上的电功率

(3)整个过程中回路产生的焦耳热

解析

解:(1)设导体棒刚进入磁场时的速度为v,由动能定理有

导体棒切割磁感线产生的感应电动势 E=BLv

解得 

(2)导体棒到达CD位置时的感应电动势E′=BLv1

此时R上的电功率

解得   

(3)导体棒从MN运动到CD,由能量守恒定律有

以v1的速度匀速运动时间t,产生的热量 

整个过程中回路产生的热量  Q=Q1+Q2

解得  

答:(1)导体棒刚进入磁场时产生的感应电动势

(2)导体棒到达CD位置时,电阻R上的电功率

(3)整个过程中回路产生的焦耳热

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题型: 多选题
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多选题

如图所示,金属棒AB垂直跨搁在位于水平面上的两条平行光滑金属导轨上,棒与导轨接触良好,棒AB和导轨的电阻均忽略不计,导轨左端接有电阻R,垂直于导轨平面的匀强磁场向下穿过平面,现以水平向右的恒力F拉着棒AB向右移动,t秒末棒AB的速度为v,移动距离为x,且在t秒内速度大小一直在变化,则下列判断正确的是(  )

At秒内AB棒所受安培力方向水平向左且逐渐增大

Bt秒内AB棒做加速度逐渐减小的加速运动

Ct秒内AB棒做匀加速直线运动

Dt秒末外力F做功的功率为

正确答案

A,B

解析

解:A、由右手定则可知,AB棒向右运动切割磁感线将产生的感应电流方向为B→A,由左手定则判断得知,AB棒所受的安培力方向水平向左.

根据安培力表达式FA=,知随着棒的速度增大,安培力也增大.故A正确.

B、C、t秒内,拉力大于安培力,而且速度增大,安培力增大,则棒所受的合力减小,加速度减小,故AB棒做加速度逐渐减小的变加速运动.故B正确.

D、t秒末外力F做功的功率为P=Fv,v是t秒末瞬时速度,而为是拉力做功的平均功率,由于棒做变加速运动,两者不等.故D错误.

故选:AB.

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题型:简答题
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简答题

如图甲所示,表面绝缘、倾角θ=30°的斜面固定在水平地面上,斜面的顶端固定有弹性挡板,挡板垂直于斜面,并与斜面底边平行.斜面所在空间有一宽度D=0.40m的匀强磁场区域,其边界与斜面底边平行,磁场方向垂直斜面向上,磁场上边界到挡板的跑离s=0.55m.一个质量m=0.10kg、总电阻R=0.25Ω的单匝矩形闭合金属框abcd,放在斜面的底端,其屮ab边与斜面底边重合,ab边长L=0.50m,bc宽度与磁场宽度相等.从t=0时刻开始.线框在垂直cd边沿斜面向上大小恒定的拉力F作用下,从静止开始运动,当线框的ab边离开磁场区域时撤去拉力F,线框继续向上运动,并与挡板发生碰撞,碰撞过程的时间可忽略不计,且碰撞前后速度大小相等,方向相反.线框向上运动过程中速度与时间的v-t关系图象如图乙所示.已知线框在整个运动过程中始终未脱离斜面,且保持ab边与斜面底边平行,线框与斜面之间的动摩擦因数μ=.重力加速度g取10m/s2o

(1)求线框受到的拉力F大小;

(2)求匀强磁场的磁感应强度B的大小;

(3)已知线框沿斜而向下运动通过磁场区域过程中的速度v随位移x的变化关系满足v=v0-x(式中v0为线框向下运动ab边刚进人磁场时的速度大小,x为线框进人磁场后ab边相对磁场上边界的位移大小),求线框向下运动进人磁场区域过程中产生的焦耳热Q.

正确答案

解:(1)由v-t图象可知,在0~0.4s时间内线框做匀加速直线运动,进入磁场时的速度为v1=2.0m/s,所以在此过程中的加速度 a==5.0m/s2

由牛顿第二定律得  F-mgsinθ-μmgcosθ=ma

解得 F=1.5N

(2)由v-t图象可知,线框进入磁场区域后以速度v1做匀速直线运动,

产生的感应电动势 E=BLv1

通过线框的电流 I==

线框所受安培力 F=BIL=

对于线框匀速运动的过程,由力的平衡条件,有

  F=mgsinθ+μmgcosθ+,解得B=0.5T

(3)由v-t图象可知,线框进入磁场区域后做匀速直线运动,并以速度v1匀速穿出磁场,说明线框的宽度等于磁场的宽度 D=0.40m 线框ab边离开磁场后做匀减速直线运动,到达档板时的位移为s-D=0.15m,设线框与挡板碰撞前的速度为v2

由动能定理,有-mg(s-D)sinθ-μmg(s-D)cosθ=-

解得 v2=1.0m/s

线框碰档板后速度大小仍为v2,线框下滑过程中,由于重力沿斜面方向的分力与滑动摩擦力大小相等,即mgsinθ=μmgcosθ=0.50N,因此线框与挡板碰撞后向下做匀速运动,ab边刚进入磁场时的速度为v2=1.0 m/s;进入磁场后因为又受到安培力作用而减速,做加速度逐渐变小的减速运动,设线框全部离开磁场区域时的速度为v3

由v=v0-x得  v3=v2-=-1.0 m/s,

因v3<0,说明线框在离开磁场前速度已经减为零,这时安培力消失,线框受力平衡,所以线框将静止在磁场中某位置.

线框向下运动进入磁场的过程中产生的焦耳热 Q==0.05J

答:

(1)线框受到的拉力F的大小是1.5N;

(2)匀强磁场的磁感应强度B的大小是0.50T;

(3)线框向下运动进人磁场区域过程中产生的焦耳热Q是0.05J.

解析

解:(1)由v-t图象可知,在0~0.4s时间内线框做匀加速直线运动,进入磁场时的速度为v1=2.0m/s,所以在此过程中的加速度 a==5.0m/s2

由牛顿第二定律得  F-mgsinθ-μmgcosθ=ma

解得 F=1.5N

(2)由v-t图象可知,线框进入磁场区域后以速度v1做匀速直线运动,

产生的感应电动势 E=BLv1

通过线框的电流 I==

线框所受安培力 F=BIL=

对于线框匀速运动的过程,由力的平衡条件,有

  F=mgsinθ+μmgcosθ+,解得B=0.5T

(3)由v-t图象可知,线框进入磁场区域后做匀速直线运动,并以速度v1匀速穿出磁场,说明线框的宽度等于磁场的宽度 D=0.40m 线框ab边离开磁场后做匀减速直线运动,到达档板时的位移为s-D=0.15m,设线框与挡板碰撞前的速度为v2

由动能定理,有-mg(s-D)sinθ-μmg(s-D)cosθ=-

解得 v2=1.0m/s

线框碰档板后速度大小仍为v2,线框下滑过程中,由于重力沿斜面方向的分力与滑动摩擦力大小相等,即mgsinθ=μmgcosθ=0.50N,因此线框与挡板碰撞后向下做匀速运动,ab边刚进入磁场时的速度为v2=1.0 m/s;进入磁场后因为又受到安培力作用而减速,做加速度逐渐变小的减速运动,设线框全部离开磁场区域时的速度为v3

由v=v0-x得  v3=v2-=-1.0 m/s,

因v3<0,说明线框在离开磁场前速度已经减为零,这时安培力消失,线框受力平衡,所以线框将静止在磁场中某位置.

线框向下运动进入磁场的过程中产生的焦耳热 Q==0.05J

答:

(1)线框受到的拉力F的大小是1.5N;

(2)匀强磁场的磁感应强度B的大小是0.50T;

(3)线框向下运动进人磁场区域过程中产生的焦耳热Q是0.05J.

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题型: 多选题
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多选题

如图所示,一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路,总电阻为R.虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场.方向垂直于回路所在的平面.回路以速度v向右匀速进入磁场,直径CD始终与MN垂直.从D点到达边界开始到C点进入磁场为止,下列结论正确的是(  )

A感应电流先沿逆时针方向,后沿顺时针方向

BCD段直线始终不受安培力

C感应电动势最大值E=Bav

D回路中通过的电量为Q=

正确答案

C,D

解析

解:A、从D点到达边界开始到C点进入磁场为止,磁通量逐渐增大,根据楞次定律知,感应电流的方向一直为逆时针方向.故A错误.

B、CD段的电流方向由D到C,根据左手定则知,CD段受到竖直向下的安培力,故B错误.

C、根据E=BLv知L最大为a,故最大感应电动势E=Bav,故C正确.

D、通过导线横截面的电荷量为:q===.故D正确.

故选:CD

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题型:填空题
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填空题

如图所示,水平放置的长直导体框架宽L=0.5m,R=0.4欧姆,B=0.5T的匀强磁场垂直框架平面,导体AB可无磨擦沿框架滑动,当VAB=8.0m/s向右运动时,导体AB上的感应电动势E=______V,回路中的感应电流为I=______A,AB中的电流方向为______(填“A到B”或“B到A”),保证导体AB匀速运动的外力大小为______N,方向为______(填“向左”或“向右”).

正确答案

2

5

B到A

1.25

向右

解析

解:感应电动势:E=BLv=0.5×0.5×8=2V,

感应电流:I===5A,

由右手定则可知,电流由B流向A;

安培力:F安培=BIL=0.5×5×0.5=1.25N,

由左手定则可知,安培力水平向左,

导体AB匀速运动,处于平衡状态,

由平衡条件得:F=F安培=1.25N,方向:水平向右;

故答案为:2;5;B到A;1.25;向右.

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题型: 单选题
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单选题

U型金属导轨构成如图所示斜面,斜面倾斜角为θ,其中MN,PQ间距为L,磁感应强度为B的匀强磁场垂直导轨平面,导轨电阻不计,金属棒ab质量为m,以速度v沿导轨上滑,并与两导轨始终保持垂直且接触良好,导轨与ab棒间的动摩擦因数为μ,ab棒接入电路的电阻为R,ab棒沿导轨上滑位移为S时速度减为0,则在这一过程中(  )

Aab棒沿导轨向上做匀减速运动

Bab棒受到的最大安培力大小为sinθ

C导体棒动能的减少量等于mgssinθ+μmgscosθ

D克服安培力做的功等于mv2-mgssinθ-μmgscosθ

正确答案

D

解析

解:A、根据安培力的表达式F=,可知ab棒受到的安培力大小与速度大小成正比,速度减小时,安培力减小,导体棒受到的合力是变力,导体棒做非匀变速运动,所以ab棒沿导轨向上做变减速运动,故A错误.

B、导体棒速度最大时,安培力最大,所以ab棒受到的最大安培力大小为F=,故B错误.

C、设ab棒克服安培力做的功为W,根据动能定理得:导体棒动能的减少量等于物体克服外力做的总功,为△Ek=mgssinθ+μmgscosθ+W,故C错误.

D、根据功能关系得:mv2=mgssinθ+μmgscosθ+W,所以有:W=mv2-mgssinθ-μmgscosθ,故D正确.

故选:D.

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题型: 单选题
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单选题

如图所示,在磁感应强度为B、方向竖直向下的匀强磁场中,固定着两根水平金属导轨ab和cd,导轨平面与磁场方向垂直,导轨间距离为L,在导轨左端a、c间连接一个阻值为R的电阻,导轨电阻可忽略不计.在导轨上垂直导轨放置一根金属棒MN,其电阻为r,用外力拉着金属棒向右匀速运动,速度大小为v.已知金属棒MN与导轨接触良好,且运动过程中始终与导轨垂直.则在金属棒MN运动的过程中(  )

A金属棒MN中的电流方向为由M到N

B电阻R两端的电压为BLv

C金属棒MN受到的安培力大小为

D电阻R产生焦耳热的功率为

正确答案

C

解析

解:

A、由右手定则判断得知金属棒MN中的电流方向为由N到M,故A错误;

B、MN产生的感应电动势为 E=BLv,回路中的感应电流大小为 I==

则电阻R两端的电压为U=IR=,故B错误;

C、金属棒MN受到的安培力大小为 F=BIL=BL=,故C正确;

D、电阻R产生焦耳热的功率为 P=I2R=(2R=,故D错误.

故选:C.

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题型: 多选题
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多选题

如图所示,质量为m、边长为L、回路电阻为R的正方形金属框,用细线吊住,线的另一端跨过两个定滑轮挂着一个质量为M(M>m)的砝码,金属框上方有一磁感应强度为B的匀强磁场,磁场的下边界与金属框的上边平行且相距一定距离.则在金属框从开始运动到整个框进入磁场的过程中,下列说法正确的是(  )

A细线对金属框做的功等于金属框增加的机械能

B细线对金属框的拉力可能等于Mg

C线框上的热功率可能大于

D系统的机械能损失可能小于(M-m)gL

正确答案

B,C,D

解析

解:A、细线对金属框做的功等于金属框增加的机械能和金属框中产生的总热量之和,故A错误;

B、如果线框匀速进入磁场,线框受到的合力为零,细线对金属框的拉力T=Mg,此时线框受到的竖直向下的安培力为:F=(M-m)g,故B正确;

C、设线框匀速进入磁场时的速度为v0,则F=BIL=,又F=(M-m)g,可求出,此时线框上的热功率为:P=Fv=,整个过程中系统的机械能损失等于(M-m)gL;若线框刚进入磁场时的速度大于v0,则进入磁场后的安培力为:F>B2L2v0=(M-m)gL,线框上的热功率大于.故C正确;

D、若线框刚进入磁场时的速度小于v0,则进入磁场后的安培力为:F<B2L2v0=(M-m)gL,系统的机械能损失小于(M-m)gL,故D正确.

故选:BCD.

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题型:简答题
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简答题

如图所示,光滑的平行金属导轨水平放置,电阻不计,导轨间距为l,左侧接一阻值为R的电阻.区域cdef内存在垂直轨道平面向下的有界匀强磁场,磁场宽度为s.一质量为m、电阻为r的金属棒MN置于导轨上,与导轨垂直且接触良好,受到F=0.5v+0.4(N)(v为金属棒速度)的水平外力作用,从磁场的左边界由静止开始运动,测得电阻两端电压随时间均匀增大.(已知:l=1m,m=1kg,R=0.3Ω,r=0.2Ω,s=1m)

(1)分析并说明该金属棒在磁场中做何种运动;

(2)求磁感应强度B的大小;

(3)若撤去外力后棒的速度v随位移x的变化规律满足v=v0- x,且棒在运动到ef处时恰好静止,则外力F作用的时间为多少?

正确答案

解:(1)测得电阻两端电压随时间均匀增大,R两端电压U∝I,感应电动势E∝I,E∝v,U随时间均匀增大,即v随时间均匀增大,加速度为恒量,所以金属棒做匀加速运动.

(2)对金属棒受力分析,有牛顿第二定律得:

将F=0.5v+0.4代入得:(0.5-)v+0.4=a,

因为a与v无关,所以a=0.4m/s2

得:0.5-=0,

代入数据得:B=0.5T.

(3)撤去外力前,x1=at2,v0=

x2=at,

x1+x2=s

所以

得:0.2t2+0.8t-1=0,

代入数据得:t=1s.

答:(1)金属棒做匀加速直线运动.

(2)磁感应强度B的大小是0.5T.

(3)外力F作用的时间为1s.

解析

解:(1)测得电阻两端电压随时间均匀增大,R两端电压U∝I,感应电动势E∝I,E∝v,U随时间均匀增大,即v随时间均匀增大,加速度为恒量,所以金属棒做匀加速运动.

(2)对金属棒受力分析,有牛顿第二定律得:

将F=0.5v+0.4代入得:(0.5-)v+0.4=a,

因为a与v无关,所以a=0.4m/s2

得:0.5-=0,

代入数据得:B=0.5T.

(3)撤去外力前,x1=at2,v0=

x2=at,

x1+x2=s

所以

得:0.2t2+0.8t-1=0,

代入数据得:t=1s.

答:(1)金属棒做匀加速直线运动.

(2)磁感应强度B的大小是0.5T.

(3)外力F作用的时间为1s.

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题型:简答题
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简答题

如图1所示,光滑的平行水平金属导轨MN、PQ相距L,在M点和P点间连接一个阻值为R的电阻,在两导轨间cdfe矩形区域内有垂直导轨平面竖直向上、宽为d的匀强磁场,磁感应强度为B.一质量为m、电阻为r、长度也刚好为L的导体棒ab垂直搁在导轨上,与磁场左边界相距d0.现用一个水平向右的力F拉棒,使它由静止开始运动,棒离开磁场前已做匀速直线运动,棒与导轨始终保持良好接触,导轨电阻不计,F随导体棒与初始位置的距离x变化的情况如图2,F0已知.求:

(1)导体棒离开磁场右边界时的速度.

(2)导体棒通过磁场区域的过程中,通过电阻R的电量.

(3)导体棒通过磁场区域的过程中整个回路产生的焦耳热.

正确答案

解:(1)设离开右边界时棒ab速度为v,感应电动势为:E=BLv,

电流为:I=

棒受到的安培力:BIL,

棒匀速运动,对棒,由平衡条件得:2F0-BIL=0,

解得:v=

(2)由法拉第电磁感应定律可知,感应电动势:E==

电流:I=

通过R的电荷量:q=I△t,

解得:q=

(3)在ab棒运动的整个过程中,根据动能定理:

d0+2F0d+W安培=mv2-0,

由功能关系可知:Q=-W安培

解得:Q=F0d0+2d)-

答:(1)导体棒离开磁场右边界时的速度为

(2)导体棒通过磁场区域的过程中,通过电阻R的电量为

(3)导体棒通过磁场区域的过程中整个回路产生的焦耳热为F0d0+2d)-

解析

解:(1)设离开右边界时棒ab速度为v,感应电动势为:E=BLv,

电流为:I=

棒受到的安培力:BIL,

棒匀速运动,对棒,由平衡条件得:2F0-BIL=0,

解得:v=

(2)由法拉第电磁感应定律可知,感应电动势:E==

电流:I=

通过R的电荷量:q=I△t,

解得:q=

(3)在ab棒运动的整个过程中,根据动能定理:

d0+2F0d+W安培=mv2-0,

由功能关系可知:Q=-W安培

解得:Q=F0d0+2d)-

答:(1)导体棒离开磁场右边界时的速度为

(2)导体棒通过磁场区域的过程中,通过电阻R的电量为

(3)导体棒通过磁场区域的过程中整个回路产生的焦耳热为F0d0+2d)-

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题型: 多选题
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多选题

如图所示,在图中,为两个有界匀强磁场,磁感应强度大小均为B,方向分别垂直纸面向里和向外,磁场宽度均为L.距磁场区域的左侧L处,有一边长为L的正方形导体线框,总电阻为R,且线框平面与磁场方向垂直.现用外力F使线框以速度v匀速穿过磁场区域,以图示位置为计时起点,规定电流沿逆时针方向时为正,磁感线垂直纸面向里时磁通量Φ为正,外力F向右为正.则下图中关于线框中的磁通量Φ、感应电流I、电功率P和外力F随时间t变化关系正确的是(  )

A

B

C

D

正确答案

A,B,C

解析

解:在-2时间内:

磁通量Φ=BS=BLv(t-),随着时间均匀增大,在t=2时刻,线框完全进入第一个磁场,磁通量为BL2

在2-时间内:线框从第一个磁场开始进入第二磁场,磁通量存在抵消,磁通量均匀减小,在t=时刻,当线框从一种磁场进入另一种磁场正好处于一半时,磁通量为零.

-3时间内:磁通量反向均匀增大,在t=3时刻,线框完全进入第二个磁场,磁通量反向最大为-BL2

在3-4时间内,线框穿出第二个磁场,磁通量均匀减小,在t=4时刻,磁通量为零.故A正确.

B、当线框运动L时,右边开始切割磁感线,产生E=BLv的电动势,电路中电流I=,根据右手定则判断可知,感应电流的方向沿逆时针,为正;

当向右再运动L时,线框两边均切割磁感线,由于磁场反向,故回路中总的电动势大小为 E′=2BLv,此时电流的方向沿顺时针,为负,电流大小为 I′=

当线圈再向右运动L过程中,只有左侧切割磁感线,此时,电动势为E=BLv,感应电流大小 I=,方向沿正方向,故B正确;

C、在-2时间内:P=Fv=BILv=BLv=; 在2-时间内:P=Fv=2BLv=4; 在-2时间内:P=Fv=BILv=BL=;故C正确.

D、由于线框匀速运动,外力与安培力总保持平衡,根据楞次定律判断可知安培力的方向总是水平向左,则外力F方向总是水平向右,始终为正值.

-2时间内:F=BIL=; 在2-时间内:F=2BLI=4;  在-2时间内:F=BIL=;故D错误.

故选:ABC.

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题型:简答题
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简答题

两根金属导轨平行放置在倾角为θ=30°的斜面上,导轨下端接有电阻R=10Ω,导轨自身电阻忽略不计.匀强磁场垂直于斜面向上,磁感强度B=0.5T.质量为m=0.1kg,电阻可不计的金属棒ab静止释放,沿导轨下滑(金属棒ab与导轨间的摩擦不计),如图所示.设导轨足够长,导轨宽度L=2m,金属棒ab下滑过程中始终与导轨接触良好,当金属棒下滑h=3m时,速度恰好达到最大值.求此过程中金属棒达到的最大速度和电阻中产生的热量?(g=10m/s2

正确答案

解:(1)金属棒做匀速直线运动时,速度达到最大,设为v.

由E=BLv,I=,F=BIL得金属棒所受的安培力为:F=

根据平衡条件得:F=mgsinθ

联立得:v===5m/s;

(2)在金属棒ab静止释放到速度刚达到最大的过程中,金属棒的重力势能转化为金属棒的动能和电路的内能,

根据能量守恒定律得电阻R上产生的热量为:

Q=mgh-mv2=0.1×10×3-×0.1×52=1.75J

答:(1)金属棒达到的最大速度为5m/s;

(2)此过程中电阻中产生的热量为1.75J.

解析

解:(1)金属棒做匀速直线运动时,速度达到最大,设为v.

由E=BLv,I=,F=BIL得金属棒所受的安培力为:F=

根据平衡条件得:F=mgsinθ

联立得:v===5m/s;

(2)在金属棒ab静止释放到速度刚达到最大的过程中,金属棒的重力势能转化为金属棒的动能和电路的内能,

根据能量守恒定律得电阻R上产生的热量为:

Q=mgh-mv2=0.1×10×3-×0.1×52=1.75J

答:(1)金属棒达到的最大速度为5m/s;

(2)此过程中电阻中产生的热量为1.75J.

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题型:简答题
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简答题

如图甲所示,一正方形金属线框位于有界匀强磁场区域内,线框的右边紧贴着边界.t=0时刻对线框施加一水平向右的外力F,让线框从静止开始做匀加速直线运动,经过时间t0穿出磁场.图乙所示为外力F随时间t变化的图象.若线框质量为m、电阻R及图象中的F0、t0均为已知量,则根据上述条件,请你推出:

(1)磁感应强度B的表达式;

(2)线框左边刚离开磁场前瞬间的感应电动势E的表达式.

正确答案

解:(1)线框运动的加速度:a=…①

线框边长:l=at02 ….②

线框离开磁场前瞬间速度:

v=at0 …③

由牛顿第二定律知:

3F0-=ma…④

解①②③④式得:

(2)线框离开磁场前瞬间感应电动势:

E=BLv…⑥

由①②③④⑤⑥式得:

答:(1)磁感应强度B的表达式为

(2)线框左边刚离开磁场前瞬间的感应电动势E的表达式

解析

解:(1)线框运动的加速度:a=…①

线框边长:l=at02 ….②

线框离开磁场前瞬间速度:

v=at0 …③

由牛顿第二定律知:

3F0-=ma…④

解①②③④式得:

(2)线框离开磁场前瞬间感应电动势:

E=BLv…⑥

由①②③④⑤⑥式得:

答:(1)磁感应强度B的表达式为

(2)线框左边刚离开磁场前瞬间的感应电动势E的表达式

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题型:简答题
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简答题

如图所示,水平面上有两根相距0.5m的足够长的平行金属导轨MN和PQ,它们的电阻可忽略不计,在M和P之间接有阻值为R的定值电阻.导体棒ab长L=0.5m,其电阻为,且R=3r,与导轨接触良好.整个装置处于方向竖直向上的匀强磁场中,磁感应强度B=0.4T.现使ab以v=10m/s的速度向右做匀速运动.

(1)ab两端的电势差多大?

(2)ab中电流的方向如何?

(3)若定值电阻R=3.0Ω,导体棒的电阻r=1.0Ω,求ab棒所受安培力大小和方向?

正确答案

解:(1)由法拉第电磁感应定律得:

ab产生的感应电动势 E=BLv=0.4×0.5×10V=2V

ab两端的电势差 U=E=×2V=1.5V

(2)由楞次定律(或右手定则)可得ab中电流的方向:b→a.

(3)由闭合电路欧姆定律得:

 I==A=0.5A

ab棒所受安培力大小:F=BIL=0.4×0.5×0.5N=0.1N

方向由左手定则判断:水平向左

答:

(1)ab两端的电势差是1.5V.

(2)ab中电流的方向由b→a.

(3)ab棒所受安培力大小为0.1N,方向水平向左.

解析

解:(1)由法拉第电磁感应定律得:

ab产生的感应电动势 E=BLv=0.4×0.5×10V=2V

ab两端的电势差 U=E=×2V=1.5V

(2)由楞次定律(或右手定则)可得ab中电流的方向:b→a.

(3)由闭合电路欧姆定律得:

 I==A=0.5A

ab棒所受安培力大小:F=BIL=0.4×0.5×0.5N=0.1N

方向由左手定则判断:水平向左

答:

(1)ab两端的电势差是1.5V.

(2)ab中电流的方向由b→a.

(3)ab棒所受安培力大小为0.1N,方向水平向左.

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题型:填空题
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填空题

如图所示,圆形线圈和框架都处于竖直平面内,线圈面积S=8.0cm2,匝数N=500匝,线圈的电阻为0.5Ω,线圈内的磁场B1是均匀变化的,质量m=4.0g,长度L=10cm的导体棒ab可在框架上无摩擦滑动.若B2=0.5T,导体棒的电阻为1.5Ω,则B1的变化率=______时,导体棒可静止于线框上,此时棒ab两端的电势较高的是______端.

正确答案

3.92T/s

a

解析

解:ab静止,处于平衡状态,

由平衡条件得:mg=BIL,

由欧姆定律可知,感应电动势:E=I(r+R),

由法拉第电磁感应定律得:E=n=nS

代入数据解得:=3.92T/s;

ab受到的安培力竖直向上,由左手定则可知,

ab中的电流由a流向b,a点电势高.

故答案为:3.92T/s;a.

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