热门试卷

二氧化硅是一种   晶体，每个硅原子周围有   个氧原子。

短周期元素A、B、C、D在周期表中的位置如下图所示，回答下列问题：

A

B

C

D

（1）设A、B、C、D四种元素的原子序数之和为M，则M____________。

A．必为奇数      B．必为偶数    C．可能为奇数，也可能为偶数

（2）若D是地壳中含量位居第二的元素，其单质是制造太阳能电池板的关键材料，其氧化物在数据传输方面贡献突出，则：

①D的元素符号为____________；

②B形成的一种单质分子（甲）可以和钾“掺杂”

在一起制造出化合物乙，其晶胞如右图所示，则该晶

体中甲分子和钾原子的个数比为                 ；

（3）若D元素原子的次外层电子数等于其它各层电子数之和，则：

①用电子式表示D元素氢化物的形成过程                       ；  

②过量A元素的氢化物与D元素最高价氧化物对应水化物反应生成化合物Z，则Z的水溶液中所有离子的浓度由大到小的顺序为                   ；

③用上述某元素的氢化物X与另一元素的氧化物Y反应，可生成一种强酸，则X、Y可能为：

　　     和　　　　　，或　　　　　和　　　　　（填分子式）。

晶体硼的基本结构单元都是由硼原子组成的正二十面体的原子晶体。其中含有20个等边三角形和一定数目的顶角，每个顶角各有一个原子，试观察图形回答。这个基本结构单元由    个硼原子组成，共含有   个B-B键。

Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。试回答：

（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为                          。

（2）下列说法正确的是            （选填序号）。

A．砷和镓都属于p区元素   B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体

C．电负性：As＞Ga                  D．第一电离能Ga＞As

（3）GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是  （填“极性分子”或“非极性分子”）。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为        。

Ⅱ．氧化钙晶体的晶胞如图所示，试回答：

（1）晶体中Ca2+的配位数为             。

（2）已知Ca2+的半径为a cm，O2-的半径为b cm，NA代表阿伏加德罗常数，

该晶体的密度为         g/cm3。（用含a、b、NA的代数式表示）