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题型: 单选题
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单选题

如图所示,在一匀强磁场中有一U形导体框bacd,线框处于水平面内,磁场与线框平面垂直,R为一电阻,ef为垂直于ab的一根导体杆,它可以在ab、cd上无摩擦地滑动,杆ef及线框中导体的电阻都可不计.开始时,给ef一个向右的初速度,则(  )

Aef将减速向右运动,但不是匀减速

Bef将匀速向右运动,最后停止

Cef将匀速向右运动

Def将做往复运动

正确答案

A

解析

解:金属棒向右运动时会切割磁感线产生电动势和感应电流,根据右手定则判断可知,ef中感应电流方向从f到e.根据左手定则判断可知,ef所受的安培力向左,则ef将减速向右运动.

感应电流表达式 I==,金属棒所受的安培力:F=BIL=,随着速度的减小,安培力减小.所以ef做加速度减小的变减速运动,最终停止运动,故A正确,BCD错误.

故选:A.

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题型:简答题
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简答题

如图甲所示,竖直挡板MN左侧空间有方向竖直向上的匀强电场和垂直纸面向里的水平匀强磁场,电场和磁场的范围足够大,电场强度E=40N/C,磁感应强度B随时间t变化的关系图象如图乙所示,选定磁场垂直纸面向里为正方向.t=0时刻,一质量m=8×10-4kg、电荷量q=+2×10-4C的微粒在O点具有竖直向下的速度v=0.12m/s,O′是挡板MN上一点,直线OO′与挡板MN垂直,取g=10m/s2.求:

(1)微粒再次经过直线OO′时与O点的距离;

(2)微粒在运动过程中离开直线OO′的最大高度;

(3)水平移动挡板,使微粒能垂直到挡板上,挡板与O点间的距离应满足的条件.

正确答案

解:(1)由题意可知,微粒所受的重力

G=mg=8×10-3N

电场力大小F=Eq=8×10-3N

因此重力与电场力平衡                  

微粒先在洛伦兹力作用下做匀速圆周运动,则

解得  R==0.6m          

由   

解得T=10πs                 

则微粒在5πs内转过半个圆周,再次经直线OO´时与O点的距离

l=2R=1.2m            

(2)微粒运动半周后向上匀速运动,运动的时间为t=5πs,轨迹如图所示,位移大小  s=vt=0.6πm=1.88m      

因此,微粒离开直线OO´的最大高度

h=s+R=2.48m                

(3)若微粒能垂直射到挡板上的某点P,P点在直线OO´下方时,由图象可知,挡板MN与O点间的距离应满足

L=(2.4n+0.6)m(n=0,1,2…)                                

若微粒能垂直射到挡板上的某点P,P点在直线OO´上方时,由图象可知,挡板MN与O点间的距离应满足 L=(2.4n+1.8)m (n=0,1,2…)  

答:(1)微粒再次经过直线OO′时与O点的距离为1.2m.

(2)微粒在运动过程中离开直线OO′的最大高度为2.48m.

(3)若微粒能垂直射到挡板上的某点P,P点在直线OO´下方时,挡板MN与O点间的距离应满足L=(2.4n+0.6)m(n=0,1,2…) 

   若微粒能垂直射到挡板上的某点P,P点在直线OO´上方时,挡板MN与O点间的距离应满足 L=(2.4n+1.8)m (n=0,1,2…)

解析

解:(1)由题意可知,微粒所受的重力

G=mg=8×10-3N

电场力大小F=Eq=8×10-3N

因此重力与电场力平衡                  

微粒先在洛伦兹力作用下做匀速圆周运动,则

解得  R==0.6m          

由   

解得T=10πs                 

则微粒在5πs内转过半个圆周,再次经直线OO´时与O点的距离

l=2R=1.2m            

(2)微粒运动半周后向上匀速运动,运动的时间为t=5πs,轨迹如图所示,位移大小  s=vt=0.6πm=1.88m      

因此,微粒离开直线OO´的最大高度

h=s+R=2.48m                

(3)若微粒能垂直射到挡板上的某点P,P点在直线OO´下方时,由图象可知,挡板MN与O点间的距离应满足

L=(2.4n+0.6)m(n=0,1,2…)                                

若微粒能垂直射到挡板上的某点P,P点在直线OO´上方时,由图象可知,挡板MN与O点间的距离应满足 L=(2.4n+1.8)m (n=0,1,2…)  

答:(1)微粒再次经过直线OO′时与O点的距离为1.2m.

(2)微粒在运动过程中离开直线OO′的最大高度为2.48m.

(3)若微粒能垂直射到挡板上的某点P,P点在直线OO´下方时,挡板MN与O点间的距离应满足L=(2.4n+0.6)m(n=0,1,2…) 

   若微粒能垂直射到挡板上的某点P,P点在直线OO´上方时,挡板MN与O点间的距离应满足 L=(2.4n+1.8)m (n=0,1,2…)

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题型:简答题
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简答题

如图甲所示,表面绝缘、倾角θ=30°的斜面固定在水平地面上,斜面的顶端固定有弹性挡板,挡板垂直于斜面,并与斜面底边平行.斜面所在空间有一宽度D=0.40m的匀强磁场区域,其边界与斜面底边平行,磁场方向垂直斜面向上,磁场上边界到挡板的距离s=0.55m.一个质量m=0.10kg、总电阻R=0.25Ω的单匝矩形闭合金属框abcd,放在斜面的底端,其中ab边与斜面底边重合,ab边长L=0.50m.从t=0时刻开始,线框在垂直cd边沿斜面向上大小恒定的拉力作用下,从静止开始运动,当线框的ab边离开磁场区域时撤去拉力,线框继续向上运动,并与挡板发生碰撞,碰撞过程的时间可忽略不计,且没有机械能损失.线框向上运动过程中速度与时间的关系如图乙所示.已知线框在整个运动过程中始终未脱离斜面,且保持ab边与斜面底边平行,线框与斜面之间的动摩擦因数μ=,重力加速度g取10m/s2

(1)求线框受到的拉力F的大小;

(2)求匀强磁场的磁感应强度B的大小;

(3)已知线框向下运动通过磁场区域过程中的速度v随位移x的变化规律满足v=v0-(式中v0为线框向下运动ab边刚进入磁场时的速度大小,x为线框ab边进入磁场后对磁场上边界的位移大小),求线框在斜面上运动的整个过程中产生的焦耳热Q.

正确答案

解:(1)由v-t图象可知,在0~0.4s时间内线框做匀加速直线运动,进入磁场时的速度为v1=2.0m/s,所以在此过程中的加速度 a==5.0m/s2

由牛顿第二定律得  F-mgsinθ-μmgcosθ=ma

解得 F=1.5N

(2)由v-t图象可知,线框进入磁场区域后以速度v1做匀速直线运动,

产生的感应电动势 E=BLv1

通过线框的电流I==

线框所受安培力F=BIL=

对于线框匀速运动的过程,由力的平衡条件,有

F=mgsinθ+μmgcosθ+

解得B=0.50T

(3)由v-t图象可知,线框进入磁场区域后做匀速直线运动,并以速度v1匀速穿出磁场,说明线框的宽度等于磁场的宽度 D=0.40m 线框ab边离开磁场后做匀减速直线运动,到达档板时的位移为s-D=0.15m,设线框与挡板碰撞前的速度为v2

由动能定理,有-mg(s-D)sinθ-μmg(s-D)cosθ=-

解得v2==1.0m/s

线框碰档板后速度大小仍为v2,线框下滑过程中,由于重力沿斜面方向的分力与滑动摩擦力大小相等,即mgsinθ=μmgcosθ=0.50N,因此线框与挡板碰撞后向下做匀速运动,ab边刚进入磁场时的速度为v2=1.0 m/s;进入磁场后因为又受到安培力作用而减速,做加速度逐渐变小的减速运动,设线框全部离开磁场区域时的速度为v3

由v=v0-得  v3=v2-=-1.0 m/s,

因v3<0,说明线框在离开磁场前速度已经减为零,这时安培力消失,线框受力平衡,所以线框将静止在磁场中某位置.

线框向上运动通过磁场区域产生的焦耳热Q1=I2Rt==0.20J

线框向下运动进入磁场的过程中产生的焦耳热Q2=+mgDsinθ=0.25J

所以Q=Q1+Q2=0.45J

答:

(1)线框受到的拉力F的大小是1.5N;

(2)匀强磁场的磁感应强度B的大小是0.50T;

(3)线框在斜面上运动的整个过程中产生的焦耳热Q是0.45J.

解析

解:(1)由v-t图象可知,在0~0.4s时间内线框做匀加速直线运动,进入磁场时的速度为v1=2.0m/s,所以在此过程中的加速度 a==5.0m/s2

由牛顿第二定律得  F-mgsinθ-μmgcosθ=ma

解得 F=1.5N

(2)由v-t图象可知,线框进入磁场区域后以速度v1做匀速直线运动,

产生的感应电动势 E=BLv1

通过线框的电流I==

线框所受安培力F=BIL=

对于线框匀速运动的过程,由力的平衡条件,有

F=mgsinθ+μmgcosθ+

解得B=0.50T

(3)由v-t图象可知,线框进入磁场区域后做匀速直线运动,并以速度v1匀速穿出磁场,说明线框的宽度等于磁场的宽度 D=0.40m 线框ab边离开磁场后做匀减速直线运动,到达档板时的位移为s-D=0.15m,设线框与挡板碰撞前的速度为v2

由动能定理,有-mg(s-D)sinθ-μmg(s-D)cosθ=-

解得v2==1.0m/s

线框碰档板后速度大小仍为v2,线框下滑过程中,由于重力沿斜面方向的分力与滑动摩擦力大小相等,即mgsinθ=μmgcosθ=0.50N,因此线框与挡板碰撞后向下做匀速运动,ab边刚进入磁场时的速度为v2=1.0 m/s;进入磁场后因为又受到安培力作用而减速,做加速度逐渐变小的减速运动,设线框全部离开磁场区域时的速度为v3

由v=v0-得  v3=v2-=-1.0 m/s,

因v3<0,说明线框在离开磁场前速度已经减为零,这时安培力消失,线框受力平衡,所以线框将静止在磁场中某位置.

线框向上运动通过磁场区域产生的焦耳热Q1=I2Rt==0.20J

线框向下运动进入磁场的过程中产生的焦耳热Q2=+mgDsinθ=0.25J

所以Q=Q1+Q2=0.45J

答:

(1)线框受到的拉力F的大小是1.5N;

(2)匀强磁场的磁感应强度B的大小是0.50T;

(3)线框在斜面上运动的整个过程中产生的焦耳热Q是0.45J.

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题型: 单选题
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单选题

如图所示,上下不等宽的平行金属导轨的EF和GH两部分导轨间的距离为2L,IJ和MN两部分导轨间的距离为L,导轨竖直放置,整个装置处于水平向里的匀强磁场中,金属杆ab和cd的质量均为m,都可在导轨上无摩擦地滑动,且与导轨接触良好,现对金属杆ab施加一个竖直向上的作用力F,使其匀速向上运动,此时cd处于静止状态,则F的大小为(  )

A2mg

B3mg

C4mg

D1mg

正确答案

B

解析

解:ab杆向上切割磁感线,从而产生感应电动势为E=BLv,出现感应电流I=,安培力大小为F=BI•2L,

对于cd来说,受到的安培力为F=BI•L,且F′=BI•L=mg,

由于金属杆ab施 加一个竖直向上的作用力F,使其匀速向上运动,所以F=mg+F

 综上可得,F=mg+2mg=3mg

故选:B.

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题型: 单选题
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单选题

如图所示,边长为2L、电阻为R的正方形导线框abcd,在纸面内以速度v水平向右匀速穿过一宽为L、磁感应强度为B的匀强磁场区域,磁场方向垂直纸面向外.刚开始时线圈的ab边刚好与磁场的左边界重合,规定水平向右为ab边受到安培力的正方向.下列哪个图象能正确反映ab边受到的安培力随运动距离x变化的规律(  )

A

B

C

D

正确答案

C

解析

解:线框的位移在,0-L内,ab边切割磁感线产生的感应电动势为 E=B•2Lv,感应电流 I=,ab边所受的安培力大小为 F=BI•2L=

由楞次定律知,ab边受到安培力方向向左,为负值.

线框的位移大于L后,位移在L-2L内线框中磁通量不变,不产生感应电流,ab边不受安培力,位移在2L-3L内,ab边在磁场之外,不受安培力,故C正确.

故选:C.

下一知识点 : 右手定则
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