- 核外电子数
- 共754题
（1）A、B原子处于基态时，原子核外电子均成对，且核电荷数A＞B 写出A的基态外围电子轨道表示式______．
（2）C与A在周期表同属于一个区的元素，写C2+的核外电子排布式______．
（3）图是金属B和C所形成的某种合金的晶胞结构示意图，用最简式表示该合金中的组成______．（用B、C元素符号表示）
（4）C2+和A2+都能与NH3、H2O、Cl-等形成配位数为4的配合物．[A（NH3）4]2+和[C （NH3）4]2+都具有对称的空间构型，[C（NH3）4]2+中的两个NH3被两个Cl-取代，能得到两种不同结构的产物，而[A（NH3）4]2+中的两个NH3被两个Cl-取代，只能得到一种产物，则[C（NH3）4]2+的空间构型为______．[A（NH3）4]2+A原子轨道的杂化方式为______．
（5）D、E、F均位于P区，电负性D＜E＜F，第一电离能D＜F＜E，D只有一个未成对电子．D在元素周期表中有位置是______，D、E形成化合物的化学式______，该化合物的一种用途是______F的最高价氧化物对水化物的分子式为______．
正确答案
[Ar]3d9
CaCu5
平面正方形
sp3
第四周期第IIIA族
GaAs
半导体材料
H2SeO4
解析
解：（1）第四周期中，原子核外电子均成对的基态原子有Ca和Zn元素，则A为Zn元素，B为Ca元素，A的基态外围电子为3d104s2，轨道式为
故答案为：
（2）Cu各Zn处于ds区，Cu的原子序数为29，基态原子的电子排布式为[Ar]3d104s1，则Cu2+的核外电子排布式为[Ar]3d94s1，故答案为：[Ar]3d9；
（3）由晶胞结构示意图可知，Ca位于晶胞的顶点，平均含有Ca原子的个数为8×
（4））[Cu（NH3）4]2+中的两个NH3被两个Cl-取代，能得到两种不同结构的产物，则[Cu（NH3）4]2+为平面正方形结构，而[Zn（NH3）4]2+中的两个NH3被两个Cl-取代，只能得到一种产物，则[Zn（NH3）4]2+为正四面体结构，其中Zn2+与四个分子形成共价键，应为sp3杂化，故答案为：平面正方形；sp3；
（5）同一周期中，从左到右元素的电负性之间增大，D、E、F均位于P区，电负性D＜E＜F，则原子序数D＜E＜F，第一电离能D＜F＜E，则E为As元素，F为Se元素，对应的最高价氧化物对水化物的分子式为H2SeO4，由于As的4P能级电子处于半包和，第一电离能大于Se，D只有一个未成对电子，应为Ga元素，位于周期表第四周期第IIIA族，D、E形成的化合物为GaAs，常用于制作半导体的材料，故答案为：第四周期第IIIA族；GaAs；半导体材料；H2SeO4．
下列离子中外层d轨道达半充满状态的是（ ）
正确答案
解析
解：A、Cr3+的价电子排布式为3d3，d轨道不是半充满状态，故A错误；
B、Cu+的价电子排布式为3d10，d轨道处于全满状态，故B错误；
C、Co3+的价电子排布式为3d6，d轨道不是半充满状态，故C错误；
D、Fe3+的价电子排布式为3d5，d轨道达半充满状态，故D正确；
故选D．
（1）金属钛（22Ti） 将是继铜、铁、铝之后人类广泛使用的第四种金属，写出Ti元素的基态原子电子排布式为______；
（2）日常生活中广泛应用的不锈钢，在其生产过程中添加了铬元素，该元素基态原子未成对电子数为______．
（3）COCl2俗称光气，分子中C原子采取______杂化成键；其中碳氧原子之间的共价键含有______（填字母）：a．2个σ键；b．2个π键；c．1个σ键、1个π键．
（4）①短周期某主族元素M的逐级电离能情况如下图A所示，则M元素形成化合物时表现的主要化合价为______ 价．
②第三周期8种元素按单质熔点高低的顺序如下图B所示，其中序号“8”代表______（填元素符号）；其中电负性最大的是______（填图B中的序号）．
（5）由C原子跟Si原子以1：1相互交替结合而形成的晶体，晶型与晶体Si相同．两者相比熔点更高的是______（填化学式）试从结构角度加以解释：______．
（6）在配合物Fe（SCN）2+中，提供空轨道接受孤对电子的微粒是______．
正确答案
解：（1）铬元素在周期表中是24号元素，基态原子的电子排布式为：1s22s22p63s23p63d44s2，
故答案为：1s22s22p63s23p63d44s2；
（2）铬元素的基态原子电子排布式为：1s22s22p63s23p63d24s44p2，该元素基态原子未成对电子数为6，故答案为：6；
（3）光气的空间结构是“V”形，其中碳和氧原子之间以共价双键结合，即含有一个π键一个σ键，碳原子再用sp2杂化成键，故答案为：sp2；c；
（4）①根据图A所示，主族元素M的逐级电离能中，第三级电离能骤然增大，说明M很难失去第三个电子，而更易失去两个电子，故化合价为+2价，故答案为：+2；
②第三周期8种元素的单质中只有单质硅是原子晶体，熔点最高，同周期元素的原子，从左到右得电子能力逐渐增强，电负性逐渐增大，电负性逐渐增大的是Cl，故答案为：Si；2；
（5）SiC中C-Si键键长比晶体Si中Si-Si键短，所以键能大，
故答案为：SiC；因SiC晶体与晶体Si都是原子晶体，由于C的原子半径小，SiC中C-Si 键键长比晶体Si中Si-Si键短，键能大，因而熔沸点高；
（6）在配合物Fe（SCN）2+中，三价铁离子含有空轨道，可以接受孤对电子，故答案为：Fe3+．
解析
解：（1）铬元素在周期表中是24号元素，基态原子的电子排布式为：1s22s22p63s23p63d44s2，
故答案为：1s22s22p63s23p63d44s2；
（2）铬元素的基态原子电子排布式为：1s22s22p63s23p63d24s44p2，该元素基态原子未成对电子数为6，故答案为：6；
（3）光气的空间结构是“V”形，其中碳和氧原子之间以共价双键结合，即含有一个π键一个σ键，碳原子再用sp2杂化成键，故答案为：sp2；c；
（4）①根据图A所示，主族元素M的逐级电离能中，第三级电离能骤然增大，说明M很难失去第三个电子，而更易失去两个电子，故化合价为+2价，故答案为：+2；
②第三周期8种元素的单质中只有单质硅是原子晶体，熔点最高，同周期元素的原子，从左到右得电子能力逐渐增强，电负性逐渐增大，电负性逐渐增大的是Cl，故答案为：Si；2；
（5）SiC中C-Si键键长比晶体Si中Si-Si键短，所以键能大，
故答案为：SiC；因SiC晶体与晶体Si都是原子晶体，由于C的原子半径小，SiC中C-Si 键键长比晶体Si中Si-Si键短，键能大，因而熔沸点高；
（6）在配合物Fe（SCN）2+中，三价铁离子含有空轨道，可以接受孤对电子，故答案为：Fe3+．
（1）写出基态砷原子的电子排布式______；砷与溴的电负性相比，较大的是______．
（2）砷（As）的氢化物与同族第二、三周期元素所形成的氢化物的稳定性由大到小的顺
序为（用化学式表示）______；氢化物的沸点由高到低的顺序为（用化学式表示）______．
（3）Na3AsO4可作杀虫剂．AsO
（4）某砷的氧化物俗称“砒霜”，其分子结构如右图所示．该化合物的分子式为______．
（5）GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与金刚石相似．GaAs晶胞中含有______个砷原子．
正确答案
解：（1）砷是33号元素，核外有33个电子，基态砷原子的电子排布式为[Ar]3d104s24p3，砷与溴同处第四周期，溴是35号元素，所以电负性较大的是Br，
故答案为：[Ar]3d104s24p3；Br（或溴）；
（2）N、P、As、属于同一主族，同主族从上到下非金属性减弱，氢化物稳定性减弱，所以NH3＞PH3＞AsH3；N原子半径较小，电负性较大，对应的NH3分子间能形成氢键，沸点较高，而P、As电负性小，半径大，分子间不能形成氢键，沸点较低，AsH3、PH3同属于分子晶体，AsH3分子晶体分子间作用力大，
故答案为：NH3＞PH3＞AsH3； NH3＞AsH3＞PH3；
（3）AsO43-的价层电子对数=4+
故答案为：正四面体形；sp3；
（4）因砷的原子半径大于氧原子，所以从砷的氧化物分子结构图可知，该化合物的分子式为As4O6，
故答案为：As4O6；
（5）金刚石空间构型为正四面体型，与同一个镓原子相连的砷原子构成的空间构型为正四面体，所以GaAs晶胞中含有4个砷原子；
故答案为：4．
解析
解：（1）砷是33号元素，核外有33个电子，基态砷原子的电子排布式为[Ar]3d104s24p3，砷与溴同处第四周期，溴是35号元素，所以电负性较大的是Br，
故答案为：[Ar]3d104s24p3；Br（或溴）；
（2）N、P、As、属于同一主族，同主族从上到下非金属性减弱，氢化物稳定性减弱，所以NH3＞PH3＞AsH3；N原子半径较小，电负性较大，对应的NH3分子间能形成氢键，沸点较高，而P、As电负性小，半径大，分子间不能形成氢键，沸点较低，AsH3、PH3同属于分子晶体，AsH3分子晶体分子间作用力大，
故答案为：NH3＞PH3＞AsH3； NH3＞AsH3＞PH3；
（3）AsO43-的价层电子对数=4+
故答案为：正四面体形；sp3；
（4）因砷的原子半径大于氧原子，所以从砷的氧化物分子结构图可知，该化合物的分子式为As4O6，
故答案为：As4O6；
（5）金刚石空间构型为正四面体型，与同一个镓原子相连的砷原子构成的空间构型为正四面体，所以GaAs晶胞中含有4个砷原子；
故答案为：4．
碳、氮、氧、氯、铝、铁、铜是与人类生产、生活息息相关的化学元素．
（1）与铜铁同周期的锗原子基态核外电子排布式为：______．
（2）Si、P、S元素的第一电离能由小到大的顺序是：______（用元素符号填写）．
（3）CN-离子中和N2分子中的π键数目比为______．
（4）铁元素组成的单质晶体堆积模型为______密堆积．
（5）下列关于金属晶体和离子晶体的说法中，错误的是______．
A．都可采取“紧密堆积”结构
B．都具有较高熔点和沸点
C．离子晶体是阴、阳离子通过离子键结合，在空间呈现有规律的排列所形成的晶体
D．金属晶体发生形变时其内部金属离子与“自由电子”之间的相互作用将不复存在
（6）现在人们已经有多种方法来测定阿伏伽德罗常数，X射线衍射法就是其中一种．通过对金晶体的X射线衍射图象的分析，可以得出金晶体的晶胞如图所示（面心立方体）．若金原子的半径为d cm，金的密度为b g/cm3，金的摩尔质量为M g/mol，通过这些数据计算阿伏伽德罗常数为______．
正确答案
解：（1）锗的原子序数是32号元素，锗原子核外有32个电子，根据构造原理知基态锗原子核外电子排布式为1S22S22P63S23P63d104S24P2，
故答案为：1S22S22P63S23P63d104S24P2；
（2）同一周期中，元素的第一电离能随着原子序数的增大而呈增大趋势，但第VA族元素第一电离能大于相邻元素，P位于第VA族元素，所以这三种元素的第一电离能从小到大顺序是：Si＜S＜P，
故答案为：Si＜S＜P；
（3）CN-离子中含有一个三键，氮气分子中含有一个三键，三键中含有一个σ键和两个π键，所以CN-离子中和N2分子中的π键数目比为2：2=1：1，
故答案为：1：1；
（4）铁元素组成的单质晶体堆积模型属于体心立方最密堆积，故答案为：体心立方；
（5）A．离子晶体和金属晶体都可采取“紧密堆积”结构，故A正确；
B．部分金属晶体的熔沸点较小，如钠的熔点较低，故B错误；
C．离子晶体的构成微粒是阴阳离子，阴、阳离子通过离子键结合，在空间呈现有规律的排列而形成晶体，故C正确；
D．金属晶体发生形变时其内部金属离子与“自由电子”发生滑动，但金属离子和自由电子之间的相互作用仍然存在，故D错误；
故选BD；
（6）金晶体属于面心立方最密堆积，金原子的半径为dcm，正方体每个面对角线的长度为4d，则晶胞的棱长=
晶胞中金原子个数=8×
故答案为：
解析
解：（1）锗的原子序数是32号元素，锗原子核外有32个电子，根据构造原理知基态锗原子核外电子排布式为1S22S22P63S23P63d104S24P2，
故答案为：1S22S22P63S23P63d104S24P2；
（2）同一周期中，元素的第一电离能随着原子序数的增大而呈增大趋势，但第VA族元素第一电离能大于相邻元素，P位于第VA族元素，所以这三种元素的第一电离能从小到大顺序是：Si＜S＜P，
故答案为：Si＜S＜P；
（3）CN-离子中含有一个三键，氮气分子中含有一个三键，三键中含有一个σ键和两个π键，所以CN-离子中和N2分子中的π键数目比为2：2=1：1，
故答案为：1：1；
（4）铁元素组成的单质晶体堆积模型属于体心立方最密堆积，故答案为：体心立方；
（5）A．离子晶体和金属晶体都可采取“紧密堆积”结构，故A正确；
B．部分金属晶体的熔沸点较小，如钠的熔点较低，故B错误；
C．离子晶体的构成微粒是阴阳离子，阴、阳离子通过离子键结合，在空间呈现有规律的排列而形成晶体，故C正确；
D．金属晶体发生形变时其内部金属离子与“自由电子”发生滑动，但金属离子和自由电子之间的相互作用仍然存在，故D错误；
故选BD；
（6）金晶体属于面心立方最密堆积，金原子的半径为dcm，正方体每个面对角线的长度为4d，则晶胞的棱长=
晶胞中金原子个数=8×
故答案为：
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